当用作光传感器时，光电二极管暗电流(0勒克斯)对于二极管约为10uA，对于硅型二极管约为1uA。当光落在结上时，构成更多的空穴/电子对而且漏电流添加。随着结的照射添加，该漏电流添加。
因而，光电二极管的电流与落在PN结上的光强度成正比。当用作光传感器时光电二极管的一个主要优点是它们对光水平变化的快速响应，可是这种类型的光设备的一个缺陷是即便在完全点亮时电流也相对较小。
以下电路示出了使用运算扩大器作为扩大器材的光电流 -电压转换器电路。输出电压(Vout)为Vout=IP*Rf，而且与光电二极管的光强度特性成比例。
这种类型的电路还使用运算扩大器的特性，其具有大约零电压的两个输入端子，以在没有偏置的情况下操作光电二极管。这种零偏置运算扩大器装备为光电二极管提供高阻抗负载，然后导致暗电流的影响较小，而且光电流的线性规模相对于辐射光强度较宽。电容Cf用于避免振动或增益峰值并设置输出带宽(1/2πRC)。
光电二极管扩大器电路
光电二极管是十分通用的光传感器，能够在几纳秒内将其电流“开”和“关”，而且普通用于相机，光度计，CD和DVD-ROM驱动器，电视遥控器，扫描仪，传真机和复印机等。当集成到运算扩大器电路中作为光纤通信的红外光谱探测器，防盗报警器运动检测电路和很多成像，激光扫描和定位系统等。
光电晶体管
光电二极管的另一种光结构件是光电晶体管，它绝大多数都是一个带扩大的光电二极管。光电晶体管光传感器的集电极基极PN结反向偏置，将其暴露在辐射光源下。
光电晶体管与光电二极管的工作方法相同，只是它们能够提供电流增益，而且比光电二极管灵敏得多，电流比标准光电二极管高50到100倍，任何普通晶体管都能够通过靠以下方法轻松转换为光电晶体管光传感器。在收集器和基座之间连接光电二极管。
光电晶体管主要由双极NPN晶体管组成，其大基极区域电气不连接，虽然一些光电晶体管允许基极连接来操控灵敏度，而且使用光子产生基极电流，这又导致集电极到发射极电流流动。
大多数光电晶体管是NPN类型，其外壳是透明的或具有透明透镜，以将光聚集到基极结上以提高灵敏度。
